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天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司于 2024 年 3 月申请了一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号为 CN202410335667.0。
专利摘要指出，该发明涉及一种半导体结构及其形成方法。
根据公开内容，该半导体结构包括以下组件：
- 设置在衬底上方的第一底部源极/漏极部件和第二底部源极/漏极部件
- 在第一和第二底部源极/漏极部件之间延伸并与之接触的多个底部沟道构件
- 设置在多个底部沟道构件上方的第一接合层
- 直接设置在第一接合层上的第二接合层
- 直接设置在第一底部源极/漏极部件上方的第一顶部源极/漏极部件
- 直接设置在第二底部源极/漏极部件上方的第二顶部源极/漏极部件
- 设置在第二接合层上方、在第一和第二顶部源极/漏极部件之间延伸并与之接触的多个顶部沟道构件
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